PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

在半導體行業需要應用ICP-MS監測芯片制造 過程中的清洗液中磷的含量。磷的質荷比為31 ，會 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子離子 的干擾 ， 以至于背景信號特別高 ，檢出限難以滿足 要求 。 故本實驗采用冷焰條件 ， 通過P31O16測試 某芯片制造廣生產過程中的清洗液 。 檢出限低至 0.037ug/L ， 同時對比了熱焰情況下 、 ICPMS的測 試結果及ICP-OES的測試結果 ，結果表明 ， 三者結果相近。

本實驗采用冷焰條件 ，通過P31O16測試某芯片制造廣生產過程中的清洗液。線性相關 系數0.999879 ，檢出限低至0.0374ug/L。 同時對比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測試結 果及ICP-OES的測試結果 ，結果表明 ，三者結果相近 ，充分證明了采用冷焰條件 ，通過測試 P31O16測試樣品中的P是一種可靠的方法。